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三星下一代芯片的问题可能会影响其生产
发布时间:2022-04-19 13:38:11来源:
导读 三星的 3nm 过渡可能会遇到问题。据报道,该公司正在处理低产量问题。这些问题可能会影响公司的生产。三星可能正在努力解决可能影响其大
三星的 3nm 过渡可能会遇到问题。
据报道,该公司正在处理低产量问题。
这些问题可能会影响公司的生产。
三星可能正在努力解决可能影响其大规模生产芯片和设备能力的 3nm 制造问题。
三星一直在努力过渡到 3nm 半导体设计,这将使其能够生产更强大、更节能的处理器。然而,随着每一次新的飞跃,制造过程中涉及的技术难度也会增加。据报道,三星正在应对其中的一些技术障碍,努力应对可能影响大规模生产的低良率。
据韩语Businesspost.kr报道,通过SamMobile,三星代工厂正在处理低于标准的产量。据信三星 3nm 芯片的初始运行将用于其自己的 Exynos 半导体系列,很可能是 Exynos 2200 的继任者。鉴于三星希望使用自己的芯片并减少对高通的依赖,如果报道属实,它可能导致其旗舰设备的供应受限。
除了从 4nm 向 3nm 迈进,三星还率先采用了 GAAFET(Gate all around FET),而不是既定的 FINFET(Fin FET)设计。GAAFET 是一种新的晶体管设计,需要将芯片移动到 3nm 阈值以下,因为 FINFET 具有使其不适合的物理限制。
完全有可能转向 GAAFET 有助于解决三星的问题,因为新设计需要不同的方法。英特尔曾尝试在其 7nm 处理器上使用 GAAFET,但由于据称与三星面临的类似问题而推迟了这一举措。
有趣的是,台积电决定在其 3nm 半导体中不采用 GAAFET,等到它转向 2nm 来实施新的晶体管设计。虽然这种方法可能不像三星那样“创新”,但台积电以比三星更高产量、更高质量的制造工艺而闻名。如果报道属实,三星目前的问题将无助于改变这种声誉。
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