高通的旗舰SoC是骁龙855

在过去几年中，当涉及到设备的内部硬件时，我们已经看到移动市场发生了很多变化。每部智能手机的核心都是 SoC，它决定了设备体验的几乎所有方面。得益于其广泛使用的 Snapdragon 平台，高通在塑造智能手机方面发挥了重要作用。该公司在过去的几年中经历了大起大落，但特别是从几代人之前的Snapdragon 835开始，我们看到了芯片供应商的一些持续且非常强大的执行力。

今年，高通的旗舰 SoC 是骁龙 855。该芯片是众所周知的，除了少数例外，今年已经为绝大多数 Android 设备提供动力。面对来自不同供应商的众多选择，一个有趣的问题出现了：谁成功地实现了最好的实现以充分利用芯片?为了帮助解决这个问题，今天我们正在做一个智能手机综述——我们正在研究来自不同供应商的大量不同 S855 设备的设备性能，同时调查软件和硬件设计如何改变设备的体验。相同的硅。

骁龙 855 是高通首款采用台积电 7nm 工艺制造的芯片组，大大提高了芯片组的能效，进而使其能够实现高度的性能。

该芯片由 Arm 的 Cortex-A76 和 Cortex-A55 内核的衍生产品供电。高通将这些作为 Kryo 485 内核销售。该公司利用 Arm 的“基于 Cortex 技术”许可，允许供应商请求更改“标准”IP 核的一些微架构配置。就Kryo 485而言，高通透露已将内核的重排序缓冲区从128提高到了更高的未公开数字。需要注意的是，Cortex-A76 的继任者 A77 配备了 160 入门的 ROB，考虑到 RTL 仍然由 Arm 设计，我打赌高通是这项工作的早期受益者。在预取器中发现了其他改进，据说它们针对更多网络浏览类型的工作负载进行了调整。

Snapdragon 855 的 CPU 复合体的关键方面在于它是 1+3+4 设置。单个大型“Prime”性能核心以高达 2.84GHz 的时钟速度运行并使用更大的 512KB L2 缓存，而“Gold”或中间核心以高达 2.42GHz 的速度运行并实现了 256KB L2 缓存。较大的内核与运行频率高达 1.8GHz 的四个 A55 派生内核配对，作为芯片的高效主力。整个综合体与运行速度高达 1.6GHz 的 2MB L3 高速缓存相连。

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