今日消息 东微半导：积极布局第三代功率半导体产品，SiC研发项目稳步推进

东微半导近期接受投资者调研时称，报告期内，公司持续进行新技术开发工作，遵循公司技术路线图稳步推进各项技术迭代，在高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET及TGBT产品领域积极进行新一代技术开发，有序推进产品从8英寸转12英寸的工艺平台拓展工作，进展顺利。在TGBT产品领域，公司加强对自有知识产权技术Tri-gateIGBT技术研发力度，产品顺利通过多个客户验证并被批量使用，迅速实现了高性能 IGBT 产品的国产化替代。公司第二代Tri-gateIGBT技术开发成功，产品性能进一步提升。同时，公司积极布局第三代功率半导体产品，SiC研发项目稳步推进。

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