台积电预计将在下个月宣布其1.4纳米生产节点的计划

由于计划在2025年发布首批2纳米芯片，台积电理论上可以在2028年之前准备好1.4纳米节点。三星很可能会在同一时间推出类似的节点，而英特尔将试图通过2025年有20A和18A节点。

虽然科学家们正在探索各种方法来制造亚1纳米晶体管的可行方法，但世界上最大的代工厂正在竞相看谁能发布第一个埃时代的生产节点。尽管英特尔首先宣布计划在2025年之后的某个时间推出20A甚至18A节点，但从TeamBlue选择的命名方案来看(例如，英特尔7是10纳米)。另一方面，三星和台积电一直在相互竞争。台积电预计将在2025年开始大批量生产2纳米，同时引入GAAFet晶体管，但三星已经计划通过其3纳米跃迁到GAAFet今年晚些时候的节点。现在，台积电再次加大赌注，准备在6月份发布其1.4纳米节点的公告。

根据最近的韩国商业报告，1.4纳米节点的准备工作将从台积电将3纳米研发团队转变为一个将开始为最先进工艺寻找路径的团队开始。有关1.4纳米节点的更多官方信息可能会在定于下个月举行的台积电技术研讨会上公布。看看台积电是否可以继续在1.4纳米节点上使用GAAFet晶体管，或者尝试实施一些新技术，例如石墨烯纳米网，这将是一件很有趣的事情。此外，台积电还可能通过数值孔径从0.33升级到0.55来改进EUV光刻工艺。

显然，英特尔将在2025年率先在20A和18A节点上使用更高数值孔径的光刻技术。同样，这些不是真正的2纳米节点，但众所周知，英特尔至少与台积电节点提供的密度相匹配。从2nm到1.4nm的跃迁听起来可能不太令人印象深刻，但我们需要记住，精度需要成倍增加，同时保持足够高的良率。GAAFet晶体管可能无法实现这一点，台积电可能会被迫探索其他解决方案。如果台积电要坚持目前的节奏，1.4纳米节点可能会在2028年投入使用。

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