英特尔首次涉足14nm技术是其Broadwell产品组合

英特尔首次涉足14nm技术是其Broadwell产品组合。它通过多种产品进入移动市场，但是2015年的台式机产品极为有限-只有两个插槽式台式机处理器才能批量零售。尽管用户在等待对Haswell进行14nm强力更新，这也是因为英特尔制造芯片的方式。处理器旁边是128 MB的eDRAM，这是CPU和主内存之间的一种额外的高速缓存。这引起了不小的轰动，我们将在2020年对硬件进行重新测试，以查看eDRAM的概念是否仍然值得努力。

eDRAM：救世主

近年来，英特尔努力推动其臭名昭著的“ Optane金字塔”，旨在展示在接近CPU的少量高速缓存(低延迟)与需要大量ping时间提供的大型离线存储之间的权衡。当处理器需要数据和指令时，它会在此层次结构中导航，目的是使所需的尽可能多的内容尽可能靠近CPU(并因此尽可能快)。

传统的现代x86处理器包含三级缓存，每级缓存的大小和延迟在到达主内存之前一直到存储，然后逐渐增长。eDRAM的作用是在处理器上的最后一个L3缓存之间添加第四层。L3的单位为兆位兆字节，而eDRAM的单位为10s-100s兆字节，而DRAM的单位为千兆字节。L3高速缓存位于处理器裸片上且延迟较低，而eDRAM的延迟稍高，而主内存以最高延迟位于处理器插槽外部的模块上。英特尔通过处理器封装将“ eDRAM”层作为独立的硅片启用，最高支持128 MiB，从而在L3和主存储器之间提供了延迟和带宽。

由于英特尔当时能够驱动更高的22nm频率，因此该芯片是基于Intel的22nm IO制造工艺而不是22nm SoC或14nm构建的。

通过将eDRAM保留为单独的硅片，它使Intel可以根据需求调整库存水平–如果产品出现故障，则仍然会有很多较小的CPU裸片用于封装。即使在今天，采用额外eDRAM制成的处理器也使用与2013-2015年相同的芯片，这表明该产品的寿命很长。 首批eDRAM产品在22nm Haswell微体系结构下可移动，但Broadwell看到了它在台式机上的应用。

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